长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷
(资料图片仅供参考)
据中国光谷官微，8月25日，武汉市东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
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